參數(shù)資料
型號： MRFE6S9045NR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1265-09, 2 PIN
文件頁數(shù)： 14/15頁
文件大?。?/td> 569K
代理商： MRFE6S9045NR1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9045NR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device is
operated at VDD = 28 Vdc, Pout = 10 W Avg., and ηD = 32%.
MTTF calculator available at http:/www.freescale.com/rf. Select Tools
(Software & Tools)/Calculators to access MTTF calculators by product.
100
23
1
0
80
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD = 28 Vdc
IDQ = 350 mA
f = 880 MHz
TC = 30_C
85
_C
10
22
21
19
17
70
60
50
40
30
20
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
Gps
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
VDD = 24 V
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
100
080
20
23
21
20
19
40
60
22
IDQ = 350 mA
f = 880 MHz
20
18
16
15
10
30
_C
18
28 V
32 V
85
_C
25
_C
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 13. MTTF versus Junction Temperature
106
107
105
110
130
150
170
190
MTTF
(HOURS)
210
230
25
_C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFE6S9046NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S9060NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
MRFE6S9125NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRFE6S9125NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRFE6S9130HSR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFE6S9045NR1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRFE6S9045 Series 880 MHz 10 W 28 V N-Channel RF Power MOSFET
MRFE6S9046GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9046NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9060GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 60W TO 270-2GN FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9060NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 60W TO270-2N FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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