參數(shù)資料
型號： MRF949T1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-75, SC-90, 3 PIN
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大小： 298K
代理商： MRF949T1
ARCHIVED BY FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 2005
MRF949T1
8
MOTOROLA RF/IF DEVICE DATA
Table 1. Common Emitter S–Parameters (continued)
VCE
IC
f
S11
S21
S12
S22
VCE
(Vdc)
IC
(mA)
f
(GHz)
|S11|
é φ
|S21|
é φ
|S12|
é φ
|S22|
é φ
3.0
0.1
0.909
–17
9.75
166
0.019
80
0.972
–9
0.3
0.805
–48
8.43
142
0.051
65
0.874
–22
0.5
0.680
–70
6.76
124
0.070
55
0.756
–29
0.7
0.567
–89
5.55
111
0.082
51
0.669
–33
0.9
0.490
–104
4.65
102
0.091
48
0.608
–36
1.0
0.464
–111
4.30
98
0.095
48
0.587
–37
1.3
0.408
–130
3.49
86
0.105
48
0.534
–39
1.5
0.391
–141
3.10
81
0.113
48
0.513
–41
2.0
0.366
–163
2.42
68
0.131
50
0.479
–46
2.5
0.365
178
2.01
56
0.151
52
0.459
–52
3.0
0.371
164
1.73
47
0.175
53
0.448
–59
3.5
0.385
152
1.52
38
0.202
54
0.446
–67
4.0
0.404
142
1.37
30
0.232
54
0.443
–75
4.5
0.420
132
1.26
23
0.268
53
0.436
–83
5.0
0.443
124
1.16
16
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51
0.434
–92
5.0
0.1
0.853
–22
14.73
162
0.019
78
0.950
–12
0.3
0.697
–60
11.59
134
0.045
62
0.791
–27
0.5
0.547
–82
8.62
116
0.060
56
0.652
–32
0.7
0.447
–102
6.75
104
0.070
54
0.565
–35
0.9
0.386
–117
5.50
96
0.080
54
0.513
–37
1.0
0.368
–124
5.03
92
0.085
54
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–37
1.3
0.332
–142
4.02
83
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55
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–39
1.5
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–152
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56
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–40
2.0
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–173
2.74
66
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57
0.408
–45
2.5
0.323
170
2.26
56
0.161
57
0.392
–51
3.0
0.334
158
1.93
47
0.189
56
0.384
–58
3.5
0.348
147
1.70
38
0.218
55
0.380
–65
4.0
0.369
138
1.53
31
0.249
53
0.376
–73
4.5
0.387
130
1.40
24
0.283
51
0.371
–81
5.0
0.410
122
1.30
17
0.319
49
0.367
–89
10.0
0.1
0.730
–33
23.83
154
0.017
74
0.896
–17
0.3
0.518
–80
15.52
122
0.037
61
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–33
0.5
0.382
–103
10.52
106
0.049
60
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–34
0.7
0.319
–122
7.89
96
0.060
61
0.450
–35
0.9
0.287
–137
6.28
89
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–35
1.0
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–144
5.71
86
0.078
63
0.402
–35
1.3
0.268
–159
4.49
79
0.096
64
0.374
–36
1.5
0.269
–168
3.94
74
0.108
64
0.362
–38
2.0
0.278
176
3.02
64
0.139
63
0.343
–42
2.5
0.294
161
2.48
55
0.171
61
0.331
–49
3.0
0.311
151
2.12
47
0.202
59
0.323
–56
3.5
0.329
142
1.86
39
0.233
56
0.319
–63
4.0
0.347
134
1.68
31
0.265
53
0.314
–71
4.5
0.367
127
1.53
24
0.298
51
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–79
5.0
0.390
120
1.42
18
0.332
47
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–87
6.0
5.0
0.1
0.870
–20
14.57
163
0.016
79
0.958
–10
0.3
0.719
–55
11.68
136
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64
0.822
–23
0.5
0.566
–76
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118
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–28
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–94
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–109
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56
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–31
1.0
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–115
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94
0.076
56
0.554
–32
1.3
0.320
–133
4.18
84
0.089
57
0.516
–33
1.5
0.306
–143
3.69
79
0.098
58
0.501
–35
2.0
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–164
2.86
67
0.121
59
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–39
2.5
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178
2.35
57
0.146
60
0.462
–45
3.0
0.304
165
2.02
48
0.171
59
0.454
–51
3.5
0.319
154
1.78
40
0.198
59
0.452
–58
4.0
0.339
145
1.60
32
0.228
58
0.449
–65
4.5
0.359
136
1.46
25
0.261
56
0.445
–72
5.0
0.384
128
1.35
18
0.297
54
0.442
–80
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
25S
EP01
LAST
SHIP
26
MAR02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9511ALT1 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MRF951 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MRFE6P3300HR3 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6P3300HR5 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6P9220HR3 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF951 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MRF9511LT1 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-143
MRF951V2 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF951V3 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF951V4 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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