- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369930 > MRF947T1 (MOTOROLA INC) NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MRF947T1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 419-02, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 16/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 309K |
| 代理商： | MRF947T1 |
MMBR941 MRF947 MRF9411 SERIES
2–16
MOTOROLA RF DEVICE DATA
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 318–08
ISSUE AF
MMBR941LT1, T3, MMBR941BLT1
STYLE 6:
PIN 1.
BASE
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
D
J
K
L
A
C
B S
H
G
V
3
1
2
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
MIN
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0140
0.0350
0.0830
0.0177
MAX
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0285
0.0401
0.1039
0.0236
MIN
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.35
0.89
2.10
0.45
MAX
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.69
1.02
2.64
0.60
MILLIMETERS
INCHES
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS
IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE
MATERIAL.
CASE 419–02
ISSUE H
MRF947AT1, MRF947BT1,
MRF947T1, T3
STYLE 3:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
C
R
N
A
L
D
G
V
S
B
H
J
K
3
1
2
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
R
S
V
MIN
0.071
0.045
0.035
0.012
0.047
0.000
0.004
0.017 REF
0.026 BSC
0.028 REF
0.031
0.079
0.012
MAX
0.087
0.053
0.049
0.016
0.055
0.004
0.010
MIN
1.80
1.15
0.90
0.30
1.20
0.00
0.10
0.425 REF
0.650 BSC
0.700 REF
0.80
2.00
0.30
MAX
2.20
1.35
1.25
0.40
1.40
0.10
0.25
MILLIMETERS
INCHES
0.039
0.087
0.016
1.00
2.20
0.40
0.05 (0.002)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF947 | Low Noise High-Freqency Transistors(低噪音高頻率NPN晶體管) |
| MRF957 | Low Noise High-Frequency Transistor(低噪聲高頻率晶體管) |
| MRF959T1 | Low Noise Transistor(低噪聲晶體管) |
| MRFIC1803 | 1.8 GHz UPMIXER, EXCITER AND LO AMP GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT |
| MRFIC1804 | 1.8 GHz LOW NOISE AMPLIFIER AND DOWNMIXER GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF947T3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors |
| MRF949BT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MRF949T1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MRF951 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MRF9511LT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-143 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。