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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF9130LSR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 439K |
| 代理商： | MRF9130LSR3 |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9130LR3 MRF9130LSR3
NOTES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF9135LR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF9135LSR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF9180R6 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF9180R6 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF9200LSR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF9135L | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF9135LR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR LDMOS NI-780L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF9135LR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 135W 900MHZ LDMOS NI780L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF9135LSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR LDMOS NI780LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF9135LSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR LDMOS NI780LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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