參數(shù)資料
型號： MRF9030LSR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-360S, CASE 360C-05, 2 PIN
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 362K
代理商： MRF9030LSR1
MRF9030LR1 MRF9030LSR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
960
12
20
930
38
50
IRL
Gps
η
IMD
VDD = 26 Vdc
Pout = 30 W (PEP)
IDQ = 250 mA
TwoTone, 100 kHz Tone Spacing
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Class AB Broadband Circuit Performance
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
IMD,
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
19
45
18
40
17
35
16
30
15
32
14
34
13
36
955
950
945
940
935
18
10
12
14
16
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
100
17
20
1
IDQ = 375 mA
300 mA
VDD = 26 Vdc
f1 = 945 MHz, f2 = 945.1 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Power Gain versus Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
19.5
19
18.5
18
17.5
10
250 mA
200 mA
100
60
50
1
IDQ = 200 mA
300 mA
VDD = 26 Vdc
f1 = 945 MHz, f2 = 945.1 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Intermodulation Distortion versus
Output Power
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
IMD,
20
30
40
10
375 mA
250 mA
100
70
0
1
3rd Order
VDD = 26 Vdc
IDQ = 250 mA
f1 = 945 MHz, f2 = 945.1 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
IMD,
10
20
30
40
50
60
5th Order
7th Order
100
10
22
0.1
0
60
Gps
η
VDD = 26 Vdc
IDQ = 250 mA
f = 945 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 7. Power Gain and Efficiency versus
Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
20
50
18
40
16
30
14
20
12
10
1
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