參數(shù)資料
型號(hào)： MRF9002NR2
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 978-03, PFP-16
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 394K
代理商： MRF9002NR2
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9002NR2
Table 4. Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS = 10 Vdc, ID = 20 μAdc)
VGS(th)
2.4
—
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDS = 26 Vdc, ID = 25 mAdc)
VGS(Q)
3
—
5
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(VGS = 10 Vdc, ID = 0.1 Adc)
VDS(on)
—
0.3
—
Vdc
Functional Tests (Per Transistor in Freescale Test Fixture, 50 ohm system)
Common-Source Amplifier Power Gain @ P1dB
(VDD = 26 Vdc, IDQ = 25 mA, f = 960.0 MHz)
Gps
15
18
—
dB
Drain Efficiency @ P1dB
(VDD = 26 Vdc, IDQ = 25 mA, f = 960.0 MHz)
η
35
50
—
%
Input Return Loss @ P1dB
(VDD = 26 Vdc, IDQ = 25 mA, f = 960.0 MHz)
IRL
—
-15
-9
dB
Power Output, 1 dB Compression Point
(VDD = 26 Vdc, IDQ = 25 mA, f = 960.0 MHz)
P1dB
34
37
—
dBm
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