- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄98041 > MRF8S7120NR3 (FREESCALE SEMICONDUCTOR INC) UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MRF8S7120NR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, OM-780-2, CASE 2021-03, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 9/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 431K |
| 代理商： | MRF8S7120NR3 |
MRF8S7120NR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LO
SS
(d
B)
710
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 2. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 32 Watts Avg.
--7
--13
--19
17.8
21
20.6
20.2
--39
40
38
36
32
--36.5
--37
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 19.8
19.4
19
18.6
18.2
720
730
740
750
760
770
780
790
34
--37.5
--22
PARC
PA
RC
(d
B)
0
--0.5
--1
--1.5
--2.5
AC
PR
(d
Bc)
Figure 3. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
10
--20
--30
--50
1
100
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--40
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--U
VDD =28 Vdc,Pout = 111 W (PEP), IDQ = 600 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 748 MHz
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
--2
--4
--6
40
--1
--3
OU
TPU
T
CO
MPR
ESSION
AT
0.
01
%
PROBABILITY
ON
CCDF
(dB)
20
60
80
120
10
70
50
40
30
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
ACPR
PARC
AC
PR
(d
Bc)
--50
--20
--30
--25
--35
21
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
19
20
18
17
15
Gps
--2 dB = 40 W
--3 dB = 55 W
VDD =28 Vdc,Pout =32 W (Avg.),IDQ = 600 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
--60
--10
IM7--L
17.4
17
--38
--38.5
--16
--2
16
--5
100
--40
60
--1 dB = 28 W
--10
VDD =28 Vdc,IDQ = 600 mA, f = 748 MHz
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
--45
20
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S7170NR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S8260HSR5 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S8260HR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S8260HSR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S9120NR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF8S7170N | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF8S7170NR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 700MHz 50W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S7235N | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF8S7235NR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 700MHZ OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S8260H | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。