- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄98041 > MRF8S26120HR3 (FREESCALE SEMICONDUCTOR INC) S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF8S26120HR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/15頁(yè) |
| 文件大小： | 928K |
| 代理商： | MRF8S26120HR3 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)當(dāng)前第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)
14
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S26120HR3 MRF8S26120HSR3
PRODUCT DOCUMENTATION AND SOFTWARE
Refer to the following documents, tools and software to aid your design process.
Application Notes
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
Software
Electromigration MTTF Calculator
RF High Power Mod
el
.s2p File
For Software, do a Part Number search at http://www.freescale.com, and select the “Part Number” link. Go to the Software &
Tools tab on the part’s Product Summary page to download the respective tool.
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
June 2010
Initial Release of Data Sheet
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S26120HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S7120NR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S7170NR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S8260HSR5 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S8260HR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF8S26120HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 27W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S26120HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 27W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S26120HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 27W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S7120NR3 | 功能描述:FET RF LDMOS 768MHZ 28V RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF8S7170N | 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。