參數(shù)資料
型號： MRF8S26120HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 13/15頁
文件大?。?/td> 928K
代理商： MRF8S26120HR3
MRF8S26120HR3 MRF8S26120HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
W--CDMA TEST SIGNAL
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 7. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
24
6
8
PR
OBABIL
ITY
(%
)
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @ ±5MHz Offset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
Input Signal
10
--60
--100
10
(dB
)
--20
--30
--40
--50
--70
--80
--90
3.84 MHz
Channel BW
7.2
1.8
5.4
3.6
0
--1.8
--3.6
--5.4
--9
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 8. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
--7.2
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPRin3.84MHz
Integrated BW
--10
0
13
5
7
9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF8S26120HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S7120NR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S7170NR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S8260HSR5 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S8260HR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF8S26120HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 27W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S26120HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 27W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S26120HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 27W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S7120NR3 功能描述:FET RF LDMOS 768MHZ 28V RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF8S7170N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*