參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8S23120HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 10/14頁(yè)
文件大?。?/td> 444K
代理商： MRF8S23120HSR3
MRF8S23120HR3 MRF8S23120HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LO
SS
(d
B)
2290
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 2. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 28 Watts Avg.
--30
--10
--15
--20
--25
15.2
17.2
17
16.8
--39
34
33
32
31
--34
--35
--36
--37
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
16.6
16.4
16.2
16
15.8
15.6
15.4
2305
2320
2335
2350
2365
2380
2395 2410
30
--38
--35
PARC
PA
RC
(d
B)
--1.8
--1
--1.2
--1.4
--1.6
--2
AC
PR
(d
Bc)
VDD =28 Vdc,Pout =28 W (Avg.),IDQ = 800 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
Figure 3. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
10
--60
--10
--20
--30
--50
1
100
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--40
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
--1
--3
--5
25
0
--2
--4
OU
TPU
T
CO
MPR
ESSION
AT
0.
01
%
PROBABILITY
ON
CCDF
(dB)
15
35
45
65
0
60
50
40
30
20
10
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
--1dB = 26.5W
--2dB = 36.5W
--3dB = 48.5W
55
VDD =28 Vdc,IDQ = 800 mA, f = 2350 MHz
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
ηD
ACPR
PARC
AC
PR
(d
Bc)
--50
--20
--25
--30
--40
--35
--45
17
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
16.6
16.2
15.8
15.4
15
14.6
Gps
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
VDD =28 Vdc,Pout = 84 W (PEP), IDQ = 800 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2350 MHz
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PDF描述
MRF8S26060HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S26060HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S26120HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S26120HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S7120NR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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MRF8S26060HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S26060HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S26060HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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