參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8S23120HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/14頁(yè)
文件大?。?/td> 444K
代理商： MRF8S23120HR3
MRF8S23120HR3 MRF8S23120HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TA =25°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD =28 Vdc, IDQ = 800 mA, 2300--2400 MHz Bandwidth
Pout @ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
—
107
—
W
IMD Symmetry @ 84 W PEP, Pout where IMD Third Order
Intermodulation 30 dBc
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
—
13
—
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
—
62
—
MHz
Gain Flatness in 100 MHz Bandwidth @ Pout =28 W Avg.
GF
—
0.6
—
dB
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
G
—
0.002
—
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C) (1)
P1dB
—
0.008
—
dB/°C
1. Exceeds recommended operating conditions. See CW operation data in Maximum Ratings table.
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PDF描述
MRF8S23120HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S26060HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
MRF8S23120HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.3GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S23120HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.3GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S23120HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.3GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S26060HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S26060HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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