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參數(shù)資料
| 型號： | MRF8S21172HR5 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 445K |
| 代理商： | MRF8S21172HR5 |
MRF8S21172HR3 MRF8S21172HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S21172HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21200HR6 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S23120HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S23120HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S26060HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF8S21172HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 42W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S21172HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S21200HR5 | 功能描述:射頻無線雜項(xiàng) HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
| MRF8S21200HR6 | 功能描述:射頻無線雜項(xiàng) HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
| MRF8S21200HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
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