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參數(shù)資料
| 型號： | MRF8S18260HSR6 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-1230S, CASE 375J-02, 8 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 11/14頁 |
| 文件大小： | 371K |
| 代理商： | MRF8S18260HSR6 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S18260HR6 MRF8S18260HSR6
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
Gps
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 6. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
--10
--20
13
19
0
60
50
40
30
20
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
18
17
10
100
300
10
--60
AC
PR
(d
Bc)
16
15
14
0
--30
--40
--50
Figure 7. Broadband Frequency Response
0
24
1400
f, FREQUENCY (MHz)
VDD =30 Vdc
Pin =0 dBm
IDQ = 1600 mA
16
12
8
1500
GAIN
(d
B)
20
Gain
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
IRL
--20
10
5
0
--5
--10
IRL
(dB)
4--15
1880 MHz
1805 MHz
1840 MHz
ACPR
1805 MHz
1840 MHz
1880 MHz
VDD =30 Vdc,IDQ = 1600 mA, Single--Carrier
W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
1805 MHz
1840 MHz
1880 MHz
W--CDMA TEST SIGNAL
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 8. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
24
6
8
PR
OBABIL
ITY
(%
)
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @ ±5MHz Offset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
Input Signal
10
--60
--100
10
(dB
)
--20
--30
--40
--50
--70
--80
--90
3.84 MHz
Channel BW
7.2
1.8
5.4
3.6
0
--1.8
--3.6
--5.4
--9
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 9. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
--7.2
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPRin3.84MHz
Integrated BW
--10
0
13
5
7
9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S18260HR6 | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S19140HSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S19260HSR6 | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21100HR5 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21100HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF8S19140HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S19140HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S19140HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF8S19140HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 140W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S19140HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 140W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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