參數資料
型號： MRF6VP121KHSR6
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, CASE 375E-04, NI-1230S, 4 PIN
文件頁數： 5/20頁
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代理商： MRF6VP121KHSR6
MRF6VP121KHR6 MRF6VP121KHSR6
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS — 1090 MHZ
22
10
0
60
17
50
40
30
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 18. Pulsed Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
16
1000
3000
Gps
20
18
20
100
VDD =50 Vdc
IDQ = 150 mA
f = 1090 MHz
Pulse Width = 128 μsec
Duty Cycle = 10%
19
21
10
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PDF描述
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