參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S21060NR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1486-03, WB-4
文件頁(yè)數(shù)： 16/20頁(yè)
文件大?。?/td> 870K
代理商： MRF6S21060NR1
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc)
-25
-5
-10
-20
2220
2060
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ Pout = 14 Watts Avg.
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
16
-46
28
27
26
25
24
-38
-40
-44
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
15.8
15.6
15.4
15.2
15
14.8
14.6
14.4
14.2
-42
-36
-15
VDD = 28 Vdc, Pout = 14 W (Avg.)
IDQ = 610 mA, 2-Carrier W-CDMA
10 MHz Carrier Spacing, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
14
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc)
-24
-6
-9
-15
2220
2060
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ Pout = 28 Watts Avg.
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
15.6
-34
39
38
37
36
-28
-30
-32
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
15.4
15.2
15
14.8
14.6
14.4
14.2
-26
-12
VDD = 28 Vdc, Pout = 28 W (Avg.)
IDQ = 610 mA, 2-Carrier W-CDMA
10 MHz Carrier Spacing, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
14
ηD
Figure 5. Two-T one Power Gain versus
Output Power
10
11
17
1
IDQ = 915 mA
763 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
200
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
16
15
13
610 mA
458 mA
305 mA
14
100
VDD = 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two-Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
-1 0
110
-2 0
-3 0
-4 0
200
-60
-5 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
THIRD
ORDER
IDQ = 305 mA
915 mA
763 mA
458 mA
610 mA
VDD = 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two-Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
100
-18
-21
12
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PDF描述
MRF6S21060NBR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S21100HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S21100HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S21100NBR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S21140HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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MRF6S21100HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 23W W-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21100HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 23W W-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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