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參數資料
| 型號： | MRF6S19100NBR1 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1484-04, 4 PIN |
| 文件頁數： | 11/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 606K |
| 代理商： | MRF6S19100NBR1 |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19100NR1 MRF6S19100NBR1
Figure 2. MRF6S19100NR1(NBR1) Test Circuit Component Layout
MRF6S19100N/NB, Rev. 5
CUT
OUT
AREA
R1
C10
R2 C2
C3
R3
C7
C1
C4
C5
C6
C8
C11
C9
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S19120HSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S19120HR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S19140HSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S19140HR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S19200HR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MRF6S19100NR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1990MHZ 22W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S19120H | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S19120HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 19W N-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S19120HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 19W N-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S19120HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 19W N-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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