參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S18140HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 10/12頁(yè)
文件大小： 435K
代理商： MRF6S18140HSR3
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
12
1
0
66
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD = 28 Vdc
IDQ = 1200 mA
f = 1840 MHz
TC = -30_C
25
_C
10
18
17
16
15
14
55
44
33
22
11
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
Gps
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
13
400
85
_C
-30
_C
25
_C
85
_C
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
13
17
0
260
15
14
100
200
16
VDD = 24 V
28 V
32 V
IDQ = 1200 mA
f = 1840 MHz
Figure 13. MTTF Factor versus Junction Temperature
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD = 28 Vdc, Pout = 29 W Avg., and ηD = 27.5%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
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calculators by product.
107
106
105
110
130
150
170
190
MTTF
(HOURS)
210
230
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S19060NR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S19060NBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S19100HR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S19100HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S19100NR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
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參數(shù)描述
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