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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S18140HR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | 射頻功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè) |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 417K |
| 代理商： | MRF6S18140HR3 |
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
I
I
1920
1760
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 29 Watts Avg.
20
0
4
8
12
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 29 W (Avg.)
I
DQ
= 1200 mA, 2Carrier NCDMA
2.5 MHz Carrier Spacing, 1.2288 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
1880
1840
1800
14.8
16.8
54
30
29
28
26
24
30
36
42
η
D
,
E
η
D
G
p
,
16.6
16.4
16.2
16
15.8
15.6
15.4
15.2
15
1780
1820
1860
1900
27
48
16
I
I
1920
1760
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 60 Watts Avg.
20
0
4
8
12
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 60 W (Avg.)
I
DQ
= 1200 mA, 2Carrier NCDMA
2.5 MHz Carrier Spacing, 1.2288 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
1880
1840
1800
14.4
16.4
42
42
41
40
38
12
18
24
30
η
D
,
E
η
D
G
p
,
16.2
16
15.8
15.6
15.4
15.2
15
14.8
14.6
1780
1820
1860
1900
39
36
16
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
100
13
19
1
I
DQ
= 1800 mA
1500 mA
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 1838.75 MHz, f2 = 1841.25 MHz
TwoTone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
18
17
15
10
400
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
p
,
14
16
900 mA
1200 mA
600 mA
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
10
1
100
20
30
40
400
60
50
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 1838.75 MHz, f2 = 1841.25 MHz
TwoTone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
10
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
I
I
I
DQ
= 600 mA
1500 mA
900 mA
1200 mA
1800 mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S19060NBR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S19100HR3 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S19140HR3 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S19140HSR3 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S20010GNR1 | RF Power Field Effect Transistors |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MRF6S18140HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S18140HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S1900HSR3 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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