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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S18140HR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè) |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 417K |
| 代理商： | MRF6S18140HR3 |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
Figure 2. MRF6S18140HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
+
C9
C8
+
R5
R1
B1
R3
C6
C4
C1
R6
R4
B2
R2
C5
C3
C11
C14 C15
C2
C10
C12 C13
C16
C
MRF6S18140H/HS
Rev. 1
C7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MRF6S18140HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S18140HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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