參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S18060MR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封裝： PLASTIC, CASE 1486-03, 4 PIN
文件頁數(shù)： 5/20頁
文件大?。?/td> 702K
代理商： MRF6S18060MR1
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
MRF6S18060MR1 MRF6S18060MBR1
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS — 1800 MHz
50
60
65
70
75
1780
80
Figure 21. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
SPECTRAL
REGROWTH
@
400
kHz
AND
600
kHz
(dBc)
1800
1820
1840
1860
VDD = 26 Vdc
IDQ = 450 mA
Pout = 35 W Avg.
25 W Avg.
15 W Avg.
35 W Avg.
25 W Avg.
10 W Avg.
SR 400 kHz
SR 600 kHz
55
1880
1900
1920
TC = 25_C
75
45
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
50
55
60
65
70
10
Figure 22. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
SPECTRAL
REGROWTH
@
400
kHz
(dBc)
20
30
40
50
60
VDD = 26 Vdc
IDQ = 450 mA
f = 1860 MHz
TC = 25_C
85
60
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
70
75
80
10
Figure 23. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL
REGROWTH
@
600
kHz
(dBc)
20
30
40
50
60
VDD = 26 Vdc
IDQ = 450 mA
f = 1860 MHz
65
f, FREQUENCY (MHz)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S18060MBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S18060NBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S18060NR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S18100NBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S18100NR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
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參數(shù)描述
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