參數(shù)資料
型號： MRF6S18060MR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封裝： PLASTIC, CASE 1486-03, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/20頁
文件大?。?/td> 702K
代理商： MRF6S18060MR1
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
MRF6S18060MR1 MRF6S18060MBR1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 16. MRF6S18060MR1(MBR1) Test Circuit Component Layout — 1800 MHz
CUT
OUT
AREA
R1
R2
C1
C6
R3
C3
C5
C7
C2
C12
C10
C11
C8
C9
C4
MRF6S18060N/NB
Rev. 0
VGS
VDS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S18060MBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S18060NBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
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MRF6S18100NBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
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參數(shù)描述
MRF6S18060NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1880MHZ 60W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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MRF6S18060NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18100NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1990MHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S18100NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1990MHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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