參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S21130HSR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
中文描述： 將使用的AB類的PCN-PCS/cellularradio和WLL應(yīng)用。
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大小： 373K
代理商： MRF5S21130HSR3
MRF5S21130HR3 MRF5S21130HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
2080
2110
2140
1.51 - j2.97
1.59 - j2.68
1.52 - j2.54
2.87 - j9.49
3.13 - j9.86
4.05 - j10.90
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1200 mA, P
out
= 28 W Avg.
Z
o
= 25
Z
load
f = 2080 MHz
f = 2200 MHz
Z
source
f = 2080 MHz
f = 2200 MHz
2170
2200
1.54 - j3.13
1.62 - j2.70
4.80 - j11.75
5.55 - j11.87
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S21130HR3 To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
MRF5S21150HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S9080NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9100MR1 CAP 1500PF 100V 100V X7R RAD.20 .20X.20 BULK M-MIL-PRF-39014
MRF5S9100MBR1 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S21130HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S21130R3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130S 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130SR3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21150 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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