參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S21090HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
中文描述： 將使用的AB類(lèi)的PCN-PCS/cellularradio和WLL應(yīng)用。
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
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代理商： MRF5S21090HR3
MRF5S21090HR3 MRF5S21090HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
2100
2120
2160
2.4 - j2.0
2.1 - j1.9
2.2 - j2.1
3.4 - j5.1
3.2 - j5.4
3.0 - j4.4
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 850 mA, P
out
= 19 W Avg.
Z
o
= 10
Z
load
f = 2100 MHz
f = 2200 MHz
Z
source
f = 2100 MHz
f = 2200 MHz
2200
1.8 - j1.6
3.0 - j4.0
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S21090HSR3 XTAL MTL T/H HC49/U
MRF5S21100HR3 To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
MRF5S21100LR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21100LSR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21100HSR3 To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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