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參數(shù)資料
| 型號： | MRF5P21180HR6 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-05, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 410K |
| 代理商： | MRF5P21180HR6 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5P21180HR6
TYPICAL CHARACTERISTICS
0
40
4
--55
--15
Gps
ACPR
IM3
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) W--CDMA
Figure 8. 2--Carrier W--CDMA ACPR, IM3, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
IM
3
(d
B
c)
,A
C
P
R
(d
B
c)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1600 mA
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
2 x W--CDMA, 10 MHz @ 3.84 MHz Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
35
--20
30
--25
25
--30
20
--35
15
--40
10
--45
5
--50
6
8
10
30
50
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 9. MTTF Factor versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than ±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2 for MTTF in a particular application.
220
100
120
140
160
180
200
107
1010
109
108
M
T
F
FA
C
T
O
R
(H
O
U
R
S
x
A
M
P
S
)
2
ηD
η
D
,D
R
A
IN
E
F
IC
IE
N
C
Y
(%
),
G
ps
,P
O
W
E
R
G
A
IN
(d
B
)
10
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 10. CCDF W--CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single Carrier Test Signal
P
R
O
B
A
B
IL
IT
Y
(%
)
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz Channel
Bandwidth @ ±5 MHz Offset. IM3 Measured in
3.84 MHz Bandwidth @ ±10 MHz Offset. PAR =
8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
Figure 11. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
--110
--120
--70
--20
--80
--60
--50
(d
B
)
--90
--100
--40
--30
3.84 MHz
Channel BW
--IM3 in
3.84 MHz BW
+IM3 in
3.84 MHz BW
--ACPR in
3.84 MHz BW
+ACPR in
3.84 MHz BW
20
5
15
10
0
--5
--10
--15
--20
--25
25
W--CDMA TEST SIGNAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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