參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5P20180R6
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 375D-04, NI-1230, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
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代理商： MRF5P20180R6
AR
C
HIVE
INF
O
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TI
O
N
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INFORMA
TION
Fr
eescale
Semiconductor
,Inc.
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF5P20180R6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
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Figure 2. MRF5P20180 Test Circuit Component Layout
MRF5P20180
Rev 1
CUT
OUT
AREA
C14
R1
R2
VGG
VDD
C10
C8
C6
C16
C4
C17
C20
C12
C5
C3
C2
STRAP
C1
C9
R3
C15
R4
C11
C19
C18
C7
C13
C21
VGG
VDD
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PDF描述
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MRF5P21180 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF5P21180HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5P21180HR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5P21180HR6_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
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