參數(shù)資料
型號： MRF553T
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： POWER, PLASTIC, M234, MACRO PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 252K
代理商： MRF553T
053-7019 Rev - 9-2002
MRF553
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
DESCRIPTION: Designed primarily for wideband large signal stages in the VHF frequency range.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25
°C)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCEO
Collector-Emitter Voltage
16
Vdc
VCBO
Collector-Base Voltage
36
Vdc
VEBO
Emitter-Base Voltage
4.0
Vdc
IC
Collector Current
500
mA
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 75C
Derate above 75C
3.0
40
Watts
mW/ C
Power Macro
Features
Specified @ 12.5 V, 175 MHz Characteristics
Output Power = 1.5 W
Minimum Gain = 11.5 dB
Efficiency 60% (Typ)
Cost Effective PowerMacro Package
Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability
相關PDF資料
PDF描述
MRF553 VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MRF553 VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MRF555G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF555G - Bulk
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MRF557 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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