參數(shù)資料
型號(hào)： MRF429
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 16 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 211-11, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 163K
代理商： MRF429
Figure 2. Output Power versus Input Power
Figure 3. Output Power versus Supply Voltage
Figure 4. Power Gain versus Frequency
Figure 5. RF Safe Operating Area (SOAR)
Figure 6. fT versus Collector Current
Figure 7. IMD versus Pout
P
,OUTPUT
POWER
(W
ATTS
CW)
out
2
0
Pin, INPUT POWER (WATTS)
f = 30 MHz
ICQ = 150 mA
40 V
28 V
250
200
150
100
50
0
46
8
10
VCC = 50 V
20
VCC, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
40
60
30
50
f = 30, 30.001 MHz
ICQ = 150 mA
IMD = d3
-35 dB
IMD = -30 dB
P
,OUTPUT
POWER
(W
ATTS
PEP)
out
250
200
150
100
50
0
1
f, FREQUENCY (MHz)
2
VCC = 50 V
ICQ = 150 mA
Pout = 150 W
30
20
10
G
PE
,POWER
GAIN
(dB)
25
15
0
4
7
15
30
60
100
1
OUTPUT VSWR
3
P
,(W
ATTS
CW)
out
250
200
150
100
350
300
510
30 50
f = 30.000 MHz
ICQ = 150 mA
VCC = 50 V
TC = 50°C
100°C
f
(MHz) T
5
0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
250
200
150
100
50
0
10
14
VCC = 30 V
15 V
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dB)
Pout, OUTPUT POWER (WATTS PEP)
0
-25
-30
-35
-40
-45
-50
20
40
60
80
100
120
140
160
d3
d5
VCC = 50 V
f = 30, 30.001 MHz
3
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