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參數資料
| 型號： | MRF275 |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | 150 W, 28 V, 500 MHz N.CHANNEL MOS BROADBAND 100 - 500 MHz RF POWER FET |
| 中文描述： | 150瓦，28五，500兆赫N.溝道MOS寬帶100 - 500 MHz射頻功率場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 226K |
| 代理商： | MRF275 |
5
MRF275G
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 8. Capacitance versus Drain–Source Voltage*
*Data shown applies only to one half of
device, MRF275G
100
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (V)
1
10
Figure 9. Gate–Source Voltage versus
Case Temperature
25
TC, CASE TEMPERATURE (
°
C)
1.3
5
15
1.1
C
–25
175
0
V
10
75
125
Figure 10. DC Safe Operating Area
100
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (V)
10
1000
0.8
1
0.9
20
1
100
1.2
25
VGS = 0 V
f = 1.0 MHz
200
VDD = 28 V
I
Coss
0.7
150
1
Ciss
Crss
30
ID = 4 A
3 A
2 A
0.1 A
50
0
100
10
TC = 25
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF282 | LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs |
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| MRF284S | RF Power Field-Effect Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| MRF275L | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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| MRF281SR1_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
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