參數(shù)資料
型號(hào)： MRF255PHT
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： RF Power Field-Effect Transistor
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 95K
代理商： MRF255PHT
1
MRF255 PHOTOMASTER
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Motorola, Inc. 1996
The RF MOSFET Line
N–Channel Enhancement–Mode
Figure 1. 54 MHz Linear RF Test Circuit Electrical Schematic
C1 — 470 pF, Chip Capacitor
C2, C3, C11, C12 — 20–200 pF, Trimmer, ARCO #464
C4 — 100 pF, Chip Capacitor
C5, C17 — 100
μ
F, 15 V, Electrolytic
C6 — 0.001
μ
F, Disc Ceramic
C7, C8, C9, C10 — 330 pF, Chip Capacitor
C14 — 1200 pF, ATC Chip Capacitor
C15 — 910 pF, 500 V, Dipped Mica
C16 — 47
μ
F, 16 V, Electrolytic
L1 — 8 Turns, #20 AWG, 0.126
″
ID
L2 — 5 Turns, #18 AWG, 0.142
″
ID
L3 — 3 Turns, #20 AWG, 0.102
″
ID
L4 — 7 Turns, #24 AWG, 0.070
″
ID
L5 — 6.5 Turns, #18 AWG, 0.230
″
ID, 0.5
″
Long
N1, N2 — Type N Flange Mount
RFC1 — Ferroxcube VK–200–19/4B
R1 — 39 k
, 1/4 W Carbon
R2 — 150
, 1/4 W Carbon
Board — G–10 .060
″
VGG
VDD
RF
OUTPUT
RF
INPUT
RFC1
+
+
+
C5
C6
C15
C16
C17
C4
C7
C8
L5
L1
L2
R2
R1
C2
C3
C1
N1
N2
C14
C9
C10
C11
C12
L3
L4
DUT
Handling and Packaging
— MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling
and packaging MOS devices should be observed.
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by MRF255PHT/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 211–11, STYLE 2
REV 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF255 N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FET
MRF275L RF MOSFET(射頻MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
MRF282SR1 RF MOSFET(射頻MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
MRF282ZR1 RF MOSFET(射頻MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
MRF284SR1 RF MOSFET(射頻MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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