參數(shù)資料
型號： MRF1946
廠商： ADVANCED SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： FM-4
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 14K
代理商： MRF1946
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. 0
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1200 FAX (818) 765-3004
1/1
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CHARACTERISTICS TC = 25 °C
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
UNITS
BVCES
IC = 25 mA
VBE = 036
V
BVCEO
IC = 25 mA
IB = 016
V
BVEBO
IE = 5.0 mA
IC = 0 mA
4.0
V
ICES
VCE = 15 V
VBE = 05.0
mA
hFE
IC = 1.0 A
VCE = 5.0 V
40
75
150
---
Cob
VCB = 15 V
IE = 0 mA
f = 1.0 MHz
75
100
pF
GPE
ηηηη
VCC = 12.5 V
Pout = 30 W
f = 175 MHz
12
60
DB
%
ψ
VCC = 15.5 V
PIN = 2.0 dB Overdrive
Load VSWR = 30:1 ALL PHASE ANGLES
No Degradation in Power Output
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF1946
DESCRIPTION:
The
MRF1946 is Designed for
12.5 V 175 MHz Large-SignalPower
Amplifier Applications.
FEATURES INCLUDE:
High Common Emitter Power Gain
Output Power = 30 W
MAXIMUM RATINGS
IC
8.0 A
VCE
16 V
VCB
36 V
PDISS
100 W @ TC = 25 °C
TJ
-65 °C to +200 °C
TSTG
-65 °C to +150 °C
θθθθ
JC
1.75 °C/W
PACKAGE STYLE .380" 4L FLG
MINIMUM
inches / mm
.970 / 24.64
B
C
D
E
F
G
A
MAXIMUM
.385 / 9.78
.980 / 24.89
inches / mm
H
.160 / 4.06
.180 / 4.57
DIM
.220 / 5.59
.230 / 5.84
.105 / 2.67
.085 / 2.16
I
J
.240 / 6.10
.255 / 6.48
.785 / 19.94
F
B
G
.125
.125 NOM.
FULL R
D
E
C
H
.112 x 45°
A
I
J
.004 / 0.10
.006 / 0.15
.280 / 7.11
.720 / 18.29
.730 / 18.54
C
B
E
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MRF1K50HR5 功能描述:HIGH POWER RF TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.8MHz ~ 500MHz 增益:22.5dB 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 功率 - 輸出:1500W 電壓 - 額定:50V 封裝/外殼:SOT-979A 供應(yīng)商器件封裝:NI-1230-4H 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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