參數(shù)資料
型號(hào)： MRF19120
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-1230, CASE 375D-04, 5 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 11/12頁(yè)
文件大?。?/td> 178K
代理商： MRF19120
11
MRF19120 MRF19120S
MOTOROLA RF DEVICE DATA
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 375D
–
01
ISSUE O
(MRF19120)
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
SEATING
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
M
MIN
1.610
0.390
0.150
0.450
0.060
0.003
1.400 BSC
0.079
0.117
0.540 BSC
1.225
MAX
1.630
0.410
0.180
0.470
0.068
0.006
MIN
40.89
9.91
3.81
11.43
1.52
0.08
35.56 BSC
2.01
2.97
13.72 BSC
31.12
MAX
41.40
10.41
4.57
11.94
1.73
0.15
MILLIMETERS
INCHES
0.089
0.137
2.26
3.48
N
Q
R
S
1.219
0.120
0.350
0.360
1.241
0.130
0.370
0.380
30.96
3.05
8.89
9.14
31.52
3.30
9.40
9.65
M
B
M
0.25 (0.010)
T
A
G
L
M
–
B
–
D
S
K
4 PL
Q
2 PL
F
C
–
T
–
E
H
1
2
4
3
R
N
1.235
31.37
STYLE 2:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. GATE
5. SOURCE
CASE 375E
–
01
ISSUE O
(MRF19120S)
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
D
F
E
H
2
3
1
L
R
–
B
–
RADIUS 4 PL
S
M
C
SEATING
PLANE
–
T
–
A
4 PL
N
STYLE 2:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. GATE
5. SOURCE
DIM
A
B
C
D
E
F
H
K
L
M
N
Q
R
S
MIN
1.325
0.390
0.150
0.450
0.060
0.003
0.079
0.117
0.540 BSC
1.225
1.219
0.030 BSC
0.350
0.360
MAX
1.335
0.410
0.180
0.470
0.068
0.006
0.089
0.137
MIN
33.66
9.91
3.81
11.43
1.52
0.08
2.01
2.97
13.72 BSC
31.12
30.96
0.76 BSC
8.89
9.14
MAX
33.91
10.41
4.57
11.94
1.73
0.15
2.26
3.48
MILLIMETERS
INCHES
1.235
1.241
31.37
31.52
0.370
0.380
9.40
9.65
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF19120S RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
MRF21030 RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
MRF21030S RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
MRF373 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF373S The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF19120S 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19125 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-391
MRF19125R3 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF19125R5 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF19125S 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Sub-Micron MOSFET Line N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*