參數(shù)資料
型號: MRF1004
廠商: Advanced Semiconductor, Inc.
元件分類: 振蕩器
英文描述: 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator
中文描述: 14引腳DIP封裝,5.0伏,高速CMOS/TTL電平,時鐘振蕩器
文件頁數(shù): 1/1頁
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代理商: MRF1004
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25
O
C
SYMBOL
BV
CBO
I
C
= 5.0 mA
BV
CEO
I
C
= 5.0 mA
BV
EBO
I
E
= 1.0 mA
I
CBO
V
CB
= 35 V
h
FE
V
CE
= 5.0 V I
C
= 75 mA
NONE
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
50
UNITS
V
V
V
mA
---
20
3.5
0.5
10
100
P
G
η
C
V
CC
= 35 V
P
OUT
= 4.0 W f = 1090 MHz
10
40
11
45
dB
%
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF1004MA
DESCRIPTION:
The
ASI MRF1004MA
is Designed
for Class B and C, TACAN, IFF, and
DME Applications up to 1090 MHz.
FEATURES:
Class B and C Operation
Common Base
P
G
= 10 dB at 4.0 W/1090 MHz
Omnigold
Metalization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
250 mA
V
CE
20 V
P
DISS
7.0 W @ T
C
= 25°C
-65
O
C to +200 °C
-65
O
C to +150 °C
25.0
O
C/W
T
J
T
STG
θ
JC
PACKAGE STYLE .280 4L STUD
1 = Collector 2 = Emitter 3 & 4 = Base
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PDF描述
MRF138 N-Channel Enhancement Mode VHF POWER MOSFET
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參數(shù)描述
MRF1004MA 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF1004MB 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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