參數(shù)資料
型號(hào)： MRF1002MA
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： MICROWAVE POWER TRANSISTORS
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 109K
代理商： MRF1002MA
5
MRF1002MA MRF1002MB
MOTOROLA RF DEVICE DATA
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 332–04
ISSUE D
MRF1002MA
NOTES:
1. DIMENSION K APPLIES TWO PLACES.
2. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1973.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. BASE
4. COLLECTOR
SEATING
–T–
K
M
L
D
A
4
1
3
2
8–32 UNC 2A
F
H
E
U
C
N
–B–
J
M
0.76 (0.030)
B
M
T
DIM
A
B
C
D
E
F
H
J
K
L
M
N
U
MIN
6.86
6.10
16.26
4.95
1.40
2.67
1.40
0.08
15.24
2.41
MAX
7.62
6.60
16.76
5.21
1.65
4.32
1.65
0.18
–––
2.67
MIN
0.270
0.240
0.640
0.195
0.055
0.105
0.055
0.003
0.600
0.095
MAX
0.300
0.260
0.660
0.205
0.065
0.170
0.065
0.007
–––
0.105
INCHES
MILLIMETERS
45 NOM
4.97
2.92
45 NOM
0.180
0.115
6.22
3.68
0.245
0.145
CASE 332A–03
ISSUE D
MRF1002MB
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. BASE
4. COLLECTOR
K
F
D
SEATING
PLANE
1
4
3
2
H
A
J
C
DIM
A
C
D
F
H
J
K
MIN
0.270
0.115
0.195
0.095
0.050
0.003
0.600
MAX
0.290
0.135
0.205
0.105
0.070
0.007
–––
MIN
6.86
2.93
4.96
2.42
1.27
0.08
15.24
MAX
7.36
3.42
5.20
2.66
1.77
0.17
–––
MILLIMETERS
INCHES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF1002MB MICROWAVE POWER TRANSISTORS
MRF10031 MICROWAVE POWER TRANSISTOR
MRF10502 Microwave Power Transistor, NPN Silicon(微波NPN硅射頻功率晶體管)
MRF15030 CAP .00022UF 50V POLYPROPYLENE
MRF19030S RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF1002MB 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:MICROWAVE POWER TRANSISTORS
MRF10031 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
MRF1004 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF1004MA 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF1004MB 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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