參數(shù)資料
型號(hào)： MRF1002MA
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： MICROWAVE POWER TRANSISTORS
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 109K
代理商： MRF1002MA
MRF1002MA MRF1002MB
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued
(TC = 25
°
C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(VCB = 35 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cob
—
2.5
5.0
pF
FUNCTIONAL TESTS
(Pulse Width = 10
μ
s, Duty Cycle = 1.0%)
Common–Base Amplifier Power Gain
(VCC = 35 Vdc, Pout = 2.0 W pk, f = 1090 MHz)
GPB
10
12
—
dB
Collector Efficiency
(VCC = 35 Vdc, Pout = 2.0 W pk, f = 1090 MHz)
η
40
45
—
dB
Load Mismatch
(VCC = 35 Vdc, Pout = 2.0 W, f = 1090 MHz,
VSWR = 10:1 All Phase Angles)
ψ
No Degradation in Power Output
Figure 1. 1090 MHz Test Circuit
C1, C3 — 220 pF Chip Capacitor, 100 mil ATC
C2 — 20
μ
F/50 Vdc Electrolytic
C4 — 0.1
μ
F Erie Redcap
L1, L2 — 2 Turns #18 AWG, 1/8
″
ID
Z1–Z14 — Distributed Microstrip Elements, See Photomaster
Board Material — 0.031
″
Thick Teflon–Fiberglass,
Board Material —
ε
r = 2.56
RF
INPUT
RF
OUTPUT
C1
Z13
C2
C3
C4
+
35 Vdc
–
+
L1
DUT
Z1
Z2
Z5
Z4
Z7
Z3
Z6
Z8
Z11
Z14
Z9
Z12
Z10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF1002MB MICROWAVE POWER TRANSISTORS
MRF10031 MICROWAVE POWER TRANSISTOR
MRF10502 Microwave Power Transistor, NPN Silicon(微波NPN硅射頻功率晶體管)
MRF15030 CAP .00022UF 50V POLYPROPYLENE
MRF19030S RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF1002MB 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:MICROWAVE POWER TRANSISTORS
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MRF1004 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF1004MA 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
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