參數(shù)資料
型號： MRF10005
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： HERMETIC SEALED, CASE 336E-02, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 160K
代理商： MRF10005
P o
,OUTPUT
POWER
(W
ATTS)
Figure 2. Output Power versus Input Power
Figure 3. Output Power versus Input Power
Figure 4. Series Equivalent Input/Output Impedances
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Pin, INPUT POWER (WATTS)
f = 960 MHz
1215 MHz
VCC = 28 Vdc
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Pin, INPUT POWER (WATTS)
f = 960 MHz
VCC = 36 Vdc
P o
,OUTPUT
POWER
(W
ATTS)
1215 MHz
f = 960 MHz
1025
ZOL*
Zin
Zo = 25
1090
1150
1215
f = 960 MHz
1025
1090
1150
1215
f
MHz
Zin
OHMS
ZOL*
OHMS
960
1025
1090
1150
1215
6.5 + j8.5
10.0 + j7.0
11.2 + j4.9
10.8 + j2.0
7.8 + j0.0
7.4 - j18.9
7.2 - j17.4
7.1 - j16.3
7.15 - j14.3
7.8 - j11.2
ZOL* = Conjugate of the optimum load
impedance into which the device output
operates at a given output power, voltage
and frequency.
Pout = 5 W, VCC = 28 V
3
REV 6
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PDF描述
MRF1000MA L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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MRF1008MA L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
MRF10120 L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
MRF1000MB 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
MRF1000MB-MOT 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:MOT BIPOLAR *MOT DIE PRODUCT ONLY* - Bulk
MRF1001 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF1001A 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
MRF1002 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:MICROWAVE POWER TRANSISTORS
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