參數(shù)資料
型號(hào)： MR2A16A
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM(256K x 16-Bit 3.3V異步磁阻RAM)
中文描述： 256K x 16位的3.3V異步磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存（256K x 16位3.3伏異步磁阻RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 3/22頁(yè)
文件大?。?/td> 243K
代理商： MR2A16A
Electrical Specifications
MR2A16A Data Sheet, Rev. 6
Freescale Semiconductor
3
Electrical Specifications
Absolute Maximum Ratings
This device contains circuitry to protect the inputs against damage caused by
high static voltages or
electric fields; however, it is advised that normal precautions be taken to avoid application of any voltage
greater than maximum rated voltages to these high-impedance (Hi-Z) circuits.
The device also contains protection against external magnetic fields. Precautions should be taken to
avoid application of any magnetic field more intense than the maximum field intensity specified in the
maximum ratings.
Table 2. Operating Modes
E
1
G
1
W
1
LB
1
UB
1
Mode
V
DD
Current
I
SB1
, I
SB2
I
DDR
I
DDR
I
DDR
I
DDR
I
DDR
I
DDW
I
DDW
I
DDW
DQL[7:0]
2
DQU[15:8]
2
H
L
L
L
L
L
L
L
L
X
H
X
L
L
L
X
X
X
X
H
X
H
H
H
L
L
L
X
X
H
L
H
L
L
H
L
X
X
H
H
L
L
H
L
L
Not selected
Output disabled
Output disabled
Lower byte read
Upper byte read
Word read
Lower byte write
Upper byte write
Word write
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
D
Out
Hi-Z
D
Out
D
In
Hi-Z
D
In
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
D
Out
D
Out
Hi-Z
D
In
D
In
NOTES:
1
2
H = high, L = low, X = don’t care
Hi-Z = high impedance
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