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參數(shù)資料
| 型號： | MPSW56J05Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-226, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | MPSW56J05Z |
MPSW56
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics (continued)
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
1
10
100
1000
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE
EM
ITTE
R
ON
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
O
N
V
= 5V
CE
25 °C
- 40 C
125 C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
1
10
100
1000
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
BA
SE
EMITTE
R
VOL
T
A
G
E
(V)
C
B
ESA
T
β = 10
25 °C
- 40 C
125 C
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-
CO
LL
EC
T
O
R
C
U
R
E
N
T
(
n
A
)
A
CB
O
V
= 60V
CB
Collector-Base Capacitance
vs Collector-Base Voltage
Pr79
0
4
8
121620
24
28
0
10
20
30
40
V
- COLLECTOR-BASE VOLTAGE (V)
C
-
COLLE
CT
OR-
B
A
SE
CA
P
A
CI
T
A
NCE
(
pF)
CB
O
B
O
f = 1.0 MHz
Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
1
10
100
1000
0
50
100
150
200
250
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
f
-
G
A
IN
BA
NDW
IDTH
PRODUCT
(MHz)
C
T
V
= 10V
CE
Safe Operating Area TO-226
P9
110
100
0.01
0.1
1
10
V
- COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
I
-
C
O
L
E
C
T
O
R
C
U
R
E
N
T
(A
)
CE
C
*PULSED
OPERATION
T
= 25 °C
A
LIMIT DETERMINED
BY BV CEO
DC T
= 2
5 °C
CO
LLE
CT
OR L
EAD
DC T
= 2
5 °C
AM
BIE
NT
100
S*
10
S*
1.0
m
s*
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW63G | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW64RLRF | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW64RL1 | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW64RLRE | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW64RLRP | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSW56RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW56RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW56RLRP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW56RLRPG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW63 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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