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參數(shù)資料
| 型號： | MPSW56J05Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-226, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | MPSW56J05Z |
MPSW56
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS*
V (B R)CEO
C o lle c to r-E m itte r B re a k d o w n
V o ltage
IC = 1.0 m A , IB = 0
8 0
V
V (B R)CBO
C o lle ctor-B ase B reakdow n V o ltage
IC = 100
A, IE = 0
80
V
V (B R)EBO
Em itte r-B a s e Bre a k d o w n Vo lta g e
IE = 1 .0 m A , IC = 0
4 .0
V
ICBO
C o lle ctor-C utoff C u rrent
V CB = 6 0 V , IE = 0
0 .1
A
ICEO
C o lle ctor-C utoff C u rrent
V CE = 6 0 V
0 .5
A
IEBO
E m itte r-C u to ff C u rre n t
V EB = 3 .0 V , IC = 0
0 .1 0
A
hFE
DC Current Gain
IC = 50 mA, VCE = 1.0 V
IC = 250 mA, VCE = 1.0 V
100
50
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 250 mA, IB = 10 mA
0.5
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 250 mA, VCE = 5.0 V
1.2
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 1.0%
Typical Characteristics
fT
Current Gain-Bandwidth Product
IC = 250 mA, VCE = 5.0 V,
f = 20 MHz
50
MHz
Cob
Collector-Base Capacitance
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz
15
pF
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.01
0.02
0.05
0.1
0.5
1
0
50
100
150
200
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
T
Y
P
ICA
L
PU
LSE
D
CURRE
NT
GA
IN
C
FE
125 °C
25 °C
- 40 °C
V
= 1.0 V
CE
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P
10
100
1000
0.01
0.1
1
2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
L
E
C
T
O
R
E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(V
)
C
ESA
T
25 °C
- 40 C
125 C
β = 10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MPSW63G | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW64RLRF | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW64RL1 | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW64RLRE | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW64RLRP | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSW56RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW56RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW56RLRP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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| MPSW63 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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