參數(shù)資料
型號： MPSW05RLRE
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-226AE, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 148K
代理商： MPSW05RLRE
MPSW05 MPSW06
http://onsemi.com
905
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Base–Emitter Temperature Coefficient
-0.8
-2.8
1.0
100
10
θVB for VBE
0.5
2.0
5.0
20
50
200
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
VB
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
θ
500
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
Figure 5. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
80
60
40
20
10
4.0
TJ = 25°C
Cobo
Cibo
8.0
6.0
Figure 6. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
300
200
100
70
50
30
VCE = 2.0 V
TJ = 25°C
f,
CURRENT-GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
100
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2 k
1.0
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
MPSW05
2.0
5.0
Figure 7. Active Region — Safe Operating Area
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
500
200
100
50
20
10
20
60 80 100
MPSW06
100 s
1.0 ms
1.0 s
TC = 25°C
TA = 25°C
dc
1 k
DUTY CYCLE ≤ 10%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW05RL 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW06RL 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW05ZL1 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW06RLRE 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW10RLRP 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MPSW06_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW06_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW06_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW06G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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