- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄96027 > MPSA56 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPSA56 |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | SC-43, TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | MPSA56 |
SSTA56 / MMSTA56 / MPSA56
Transistors
!Electrical characteristic curves
0
400
300
200
100
500
2.0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
IB=0mA
0.5mA
1.0mA
1.5mA
2.0mA
2.5mA
3.0mA
3.5mA
4.0mA
4.5mA
5.0mA
Ta=25
°C
IC
-COLLECTOR
CURRENT
(
mA)
VCE-COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (
V)
Fig.1 Grounded emitter output
characteristics
1
10
100
1000
100
1000
10
h
FE
-DC
CURRENT
GAIN
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
Ta=25
°C
VCC=5V
3V
1V
Fig.2 DC current gain vs. collector
current (
Ι )
1
10
100
1000
100
1000
10
h
FE
-DC
CURRENT
GAIN
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
Ta=125
°C
25
°C
40°C
VCE=3V
Fig.3 DC current gain vs. collector
current (
ΙΙ )
1
10
100
1000
0.2
0.3
0.1
0
V
CE(SAT)
COLLECTOR
EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
(V)
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
IC / IB=10
Ta=125
°C
25
°C
40°C
Fig.4 Collector emitter saturation
voltage vs. collector current
1
10
100
1000
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0.6
1.0
1.4
0.2
0
V
BE(SAT)
BASE
EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
(
V)
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
Ta=25
°C
IC
/ IB=10
Fig.5 Base-emitter saturation
voltage vs. collector current
1
10
100
1000
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0.6
1.0
1.4
0.2
0
V
BE(ON)
BASE
EMITTER
VOLTAGE
(
V)
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
VCE=3V
Ta=
40
°C
125
°C
25
°C
Fig.6 Grounded emitter propagation
characteristics
0.5
1
10
50
10
500
100
5
CAPACITANCE
(
pF)
REVERSE BIAS VOLTAGE (
V)
Ta=25
°C
f=1MHz
Cib
Cob
Fig.7 Input/output capecitance
vs. voltage
1
10
100
1000
100
1000
10
CURRENT
GAIN-BANDWIDTH
PRODUCT
(
MHz)
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
Ta=25
°C
VCE=10V
Fig.8 Gain bandwidth product
vs. collector current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSTA56 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA56 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| MPSA56 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA56 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA62RL | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPS-A56 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| MPSA56 DIE | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述: |
| MPSA56 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA56,116 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA56\E6 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT REORD 512-MPSA56 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。