參數(shù)資料
型號： MPSA42
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： MPSA42
MPSA42
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
Base saturation voltage – Basis-Sttigungsspannung 1)
IC = 20 mA, IB = 2 mA
VBEsat
–
0.9 V
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhltnis
VCE = 10 V, IC = 1 mA
VCE = 10 V, IC = 10 mA
VCE = 10 V, IC = 30 mA
hFE
25
40
–
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
VCE = 20 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz
fT
50 MHz
–
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazitt
VCB = 20 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz
MPSA42
CCB0
–
3 pF
Thermal resistance junction – ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 200 K/W 2)
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementre PNP-Transistoren
MPSA92
1
Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis ≤ 2%
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlussdrhte in 2 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150
100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
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PDF描述
MPSA42 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA43 500 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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MPSA43-18 500 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
MPS-A42 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:NPN SILICON GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
MPSA42 AMO 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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