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參數(shù)資料
| 型號： | MPSA42 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | MPSA42 |
MPSA42
MPSA42
NPN
High voltage Si-epitaxial planar transistors
Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren
NPN
Version 2010-09-30
Dimensions / Mae [mm]
Power dissipation
Verlustleistung
625 mW
Plastic case
Kunststoffgehuse
TO-92
(10D3)
Weight approx.
Gewicht ca.
0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MPSA42
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
B open
VCEO
300 V
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
E open
VCBO
300 V
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
6 V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
625 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
500 mA
Base current – Basisstrom
I
B
100 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
-55...+150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
IE = 0, VCB = 200 V
MPSA42
ICB0
–
100 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
IB = 0, VEB = 6 V
MPSA42
IEB0
–
100 nA
Collector saturation voltage – Kollektor-Sttigungsspannung 2)
IC = 20 mA, IB = 2 mA
MPSA42
VCEsat
–
500 mV
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlussdrhte in 2 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis ≤ 2%
Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
16
18
9
2 x 2.54
E B C
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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