參數(shù)資料
型號(hào)： MPSA06
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： SC-43, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 0K
代理商： MPSA06
SSTA06 / MMSTA06 / MPSA06
Transistors
NPN General Purpose Transistor
SSTA06 / MMSTA06 / MPSA06
!Features
1) BVCEO < 80V.( IC=1mA)
2) Complements the SSTA56 / MMSTA56 / MPSA56.
!Package, marking and packaging specifications
Part No.
SSTA06
SST3
R1G
T116
3000
MMSTA06
SMT3
R1G
T146
3000
MPSA06
TO-92
-
T93
3000
Packaging type
Mark
Code
Basic ordering unit (pieces)
!Absolute maximum ratings
(Ta=25
°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Tj
Tstg
Limits
80
4
0.5
0.625
150
-55~+150
Unit
V
A
W
Collector power
dissipation
PC
0.2
C
MPSA06
SSTA06, MMSTA06
!External dimensions
(Units : mm)
SSTA06
MMSTA06
MPSA06
ROHM : SST3
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : TO-92
EIAJ : SC-43
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
All terminals have same dimensions
0~0.1
0.2Min.
2.4±0.2
1.3
0.95
0.45±0.1
0.15
0.4
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
+0.2
0.1
+0.2
+0.1
0.06
+0.1
0.05
(2)
(1)
(3)
0~0.1
2.8
±
0.2
1.6
0.3~0.6
1.1
0.8±0.1
0.15
0.4
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
+0.2
0.1
+0.2
+0.1
0.06
+0.1
0.05
(2)
(1)
(3)
4.8
±
0.2
(12.7Min.)
2.5Min.
4.8±0.2
3.7±0.2
5
0.45±0.1
2.3
0.5±0.1
2.5 +0.3
0.1
(1)
(2)
(3)
!Electrical characteristics
(Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
ICBO
ICEO
4
80
-
0.1
1
V
A
IC=100
A
IC=1mA
VCB=80V
VCE=60V
VBE(ON)
-
1.2
V
VCE(sat)
-
0.25
V
IC/IB=100mA/10mA
hFE
100
-
100
-
fT
100
-
MHz
VCE=2V, IE=
10mA, f=100MHz
VCE/IB=1V/100mA
VCE=1V, IC=10mA
VCE=1V, IC=100mA
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector cutoff current
Base-emitter saturation voltage
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMSTA06 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA06 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
MPSA12-BP 1200 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA12 1200 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA14 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
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參數(shù)描述
MPS-A06 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTRAY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS
MPSA06 T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MPSA06,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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