參數(shù)資料
型號(hào)： MMSTA06
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SMT3, SC-59, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
代理商： MMSTA06
SSTA06 / MMSTA06 / MPSA06
Transistors
NPN General Purpose Transistor
SSTA06 / MMSTA06 / MPSA06
!Features
1) BVCEO < 80V.( IC=1mA)
2) Complements the SSTA56 / MMSTA56 / MPSA56.
!Package, marking and packaging specifications
Part No.
SSTA06
SST3
R1G
T116
3000
MMSTA06
SMT3
R1G
T146
3000
MPSA06
TO-92
-
T93
3000
Packaging type
Mark
Code
Basic ordering unit (pieces)
!Absolute maximum ratings
(Ta=25
°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Tj
Tstg
Limits
80
4
0.5
0.625
150
-55~+150
Unit
V
A
W
Collector power
dissipation
PC
0.2
C
MPSA06
SSTA06, MMSTA06
!External dimensions
(Units : mm)
SSTA06
MMSTA06
MPSA06
ROHM : SST3
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : TO-92
EIAJ : SC-43
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
All terminals have same dimensions
0~0.1
0.2Min.
2.4±0.2
1.3
0.95
0.45±0.1
0.15
0.4
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
+0.2
0.1
+0.2
+0.1
0.06
+0.1
0.05
(2)
(1)
(3)
0~0.1
2.8
±
0.2
1.6
0.3~0.6
1.1
0.8±0.1
0.15
0.4
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
+0.2
0.1
+0.2
+0.1
0.06
+0.1
0.05
(2)
(1)
(3)
4.8
±
0.2
(12.7Min.)
2.5Min.
4.8±0.2
3.7±0.2
5
0.45±0.1
2.3
0.5±0.1
2.5 +0.3
0.1
(1)
(2)
(3)
!Electrical characteristics
(Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
ICBO
ICEO
4
80
-
0.1
1
V
A
IC=100
A
IC=1mA
VCB=80V
VCE=60V
VBE(ON)
-
1.2
V
VCE(sat)
-
0.25
V
IC/IB=100mA/10mA
hFE
100
-
100
-
fT
100
-
MHz
VCE=2V, IE=
10mA, f=100MHz
VCE/IB=1V/100mA
VCE=1V, IC=10mA
VCE=1V, IC=100mA
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector cutoff current
Base-emitter saturation voltage
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSA06 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
MPSA12-BP 1200 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA12 1200 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA14 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
MPSA17RL1 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMSTA06-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMSTA06-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMSTA06T146 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 500MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMSTA13 制造商:ROHM 功能描述:DARLINGTON NPN SMD (Surface Mount) Transistor SOT-23 制造商:ROHM 功能描述:DARLINGTON NPN SMD (Surface Mount) Transistor SOT-23 - free partial T/R at 500.
MMSTA13_1 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
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