參數(shù)資料
型號： MPSA06
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 26K
代理商： MPSA06
1999. 11. 30
1/1
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
MPSA06
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Revision No : 3
DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS.
VOLTAGE AMPLIFIER APPLICATIONS.
FEATURES
Complementary to MPSA56.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
TO-92
DIM
MILLIMETERS
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
14.00 0.50
0.55 MAX
2.30
D
1
2
3
B
A
J
K
G
H
F
L
E
C
E
C
M
N
0.45 MAX
M
1.00
N
1. EMITTER
3. COLLECTOR
2. BASE
+
_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB=80V, IE=0
-
100
nA
Emitter Cut-off Current
ICEO
VCE=60V, IB=0
-
100
nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, IB=0
80
-
V
DC Current Gain
hFE(1)
VCE=1V, IC=10mA
100
-
hFE(2)
VCE=1V, IC=100mA
100
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=100mA, IB=10mA
-
0.25
V
Base-Emitter Voltage
VBE
VCE=1V, IC=100mA
-
1.2
V
Transition Frequency
fT
VCE=2V, IC=10mA
100
-
MHz
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
80
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
80
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Current
IC
500
mA
Emitter Current
IE
-500
mA
Collector Power Dissipation
PC
625
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature
Tstg
-55
150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
MPS-A06 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTRAY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS
MPSA06 T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MPSA06,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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