參數(shù)資料
型號(hào)： MPSA06
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 25K
代理商： MPSA06
NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 2 FEB 94
FEATURES
* 80 Volt VCEO
* Gain of 50 at IC=100mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
80
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
80
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
4V
Continuous Collector Current
IC
500
mA
Power Dissipation at Tamb=25°C
Ptot
750
mW
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
-55 to +175
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO
80
V
IC=100A, IE=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO
80
V
IC=1mA, IB=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V(BR)EBO
4V
IE=100A, IC=0
Collector Cut-Off
Current
ICBO
0.1
A
VCB=80V, IE=0
Collector Cut-Off
Current
ICES
0.1
A
VCE=60V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
0.25
V
IC=100mA, IB=10mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
VBE(on)
1.2
V
IC=100mA, VCE=1V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
hFE
50
IC=10mA, VCE=1V*
IC=100mA, VCE=1V*
Transition
Frequency
fT
100
MHz
IC=10mA, VCE=2V
f=100MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300s. Duty cycle ≤2%
E-Line
TO92 Compatible
MPSA06
3-76
C
B
E
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PDF描述
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