參數(shù)資料
型號： MPSA06
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors(NPN通用放大器)
中文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 81K
代理商： MPSA06
(NPN) MPSA05, MPSA06*, (PNP) MPSA55, MPSA56*
http://onsemi.com
5
Figure 14. MPSA05/06 Collector Saturation
Region
Figure 15. MPSA55/56 Collector Saturation
Region
Figure 16. MPSA05/06 BaseEmitter
Temperature Coefficient
Figure 17. MPSA55/56 BaseEmitter
Temperature Coefficient
100
500
0.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.1
10
0.05
I
B
, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
B
, BASE CURRENT (mA)
1.0
T
J
= 25
°
C
RV
NPN
PNP
10
R
VB
for V
BE
°
RV
°
50
I
C
=
100 mA
I
C
=
50 mA
I
C
=
250 mA
I
C
=
500 mA
I
C
=
10 mA
,
VC
,
VC
1.0
2.0
5.0
20
50
200
20
2.0
5.0
0.2
0.5
100
500
0.5
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
10
R
VB
for V
BE
1.0 2.0
5.0
20
50
200
0.1
10
0.05
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.0
T
J
= 25
°
C
50
I
C
=
100 mA
I
C
=
50 mA
I
C
=
250 mA
I
C
=
500 mA
I
C
=
10 mA
20
2.0
5.0
0.2
0.5
Figure 18. MPSA05, MPSA06, MPSA55 and MPSA56 Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
20 k
50 k 100 k
0.03
0.02
0.1
0.07
0.05
0.01
0.3
0.2
1.0
0.7
0.5
r
T
Z
JC
(t) = r(t)
R
JC
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
Z
JC
(t)
Z
JA
(t) = r(t)
R
JA
T
J(pk)
T
A
= P
(pk)
Z
JA
(t)
D CURVES APPLY FOR
POWER PULSE TRAIN
SHOWN READ TIME AT t
1
(SEE AN469)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
P
(pk)
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
SINGLE PULSE
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PDF描述
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MPSA06 T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MPSA06,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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