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參數(shù)資料
| 型號： | MPS8599G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors |
| 中文描述： | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | MPS8599G |
(NPN) MPS8098, MPS8099*, (PNP) MPS8598, MPS8599*
http://onsemi.com
4
Figure 7. MPS8098/99 Switching Times
Figure 8. MPS8598/99 Switching Times
NPN
PNP
20
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
100
70
50
20
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
500
200
100
70
50
20
10
100
100
t
t
50
200
1.0 k
700
500
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25
°
C
t
s
t
f
t
r
50
200
1.0 k
700
30
300
30
70
t
d
@ V
BE(off)
= 0.5 V
300
30
70
20
30
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25
°
C
t
s
t
f
t
r
t
d
@ V
BE(off)
= 0.5 V
Figure 9. MPS8098/99 ActiveRegion Safe
Operating Area
Figure 10. MPS8598/99 ActiveRegion Safe
Operating Area
Figure 11. MPS8098/99 DC Current Gain
Figure 12. MPS8598/99 DC Current Gain
2.0
0.2
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
200
100
80
60
40
10
,
hF
T
J
= 125
°
C
10
1.0
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
500
200
100
70
50
20
10
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
50
1.0
500
200
100
70
50
20
10
20
30
IC
2.0
5.0
1.0 k
700
2.0
5.0
50
1.0 k
700
IC
MPS8098
MPS8099
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
100
70
20
3.0
7.0
1.0
3.0 5.0
V
CE
= 5.0 V
20
100
30
50
200
25
°
C
55
°
C
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
,
hF
300
30
MPS8598
MPS8599
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
3.0
7.0
30
100
70
30
300
0.3 0.5
2.0
0.2
300
200
100
70
50
30
10
T
J
= 125
°
C
1.0
5.0
V
CE
= 5.0 V
20
100
50
200
25
°
C
55
°
C
0.5
DUTY CYCLE
≤
10%
DUTY CYCLE
≤
10%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA06 | NPN General Purpose Transistor(通用NPN晶體管) |
| MPSA12G | Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPSA12RLRA | Darlington Transistors NPN Silicon |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MPS8599RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS8599RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS8599RLRM | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors |
| MPS8599RLRMG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS88-1000 | 功能描述:以太網(wǎng)和電信連接器 8P8C SHIELDED STRANDED FLAT RoHS:否 制造商:Pulse 產(chǎn)品:Modular Jacks 性能類別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點數(shù)量: 安裝風格:Through Hole 端口數(shù)量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級: |
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