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參數(shù)資料
| 型號： | MPS2907AZL1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 30/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 385K |
| 代理商： | MPS2907AZL1G |
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MPS2907 MPS2907A
2–545
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
NOISE FIGURE
VCE = 10 Vdc, TA = 25°C
Figure 7. Frequency Effects
f, FREQUENCY (kHz)
10
0.01
Figure 8. Source Resistance Effects
Rs, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
f = 1.0 kHz
IC = –50 A
–100
A
–500
A
–1.0 mA
Rs = OPTIMUM SOURCE RESISTANCE
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
100
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
50
100
200
500 1.0 k
2.0 k
5.0 k 10 k
20 k
50 k
IC = –1.0 mA, Rs = 430
–500
A, Rs = 560
–50
A, Rs = 2.7 k
–100
A, Rs = 1.6 k
Figure 9. Capacitances
REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
30
Figure 10. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
–0.1
2.0
Figure 11. “On” Voltage
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–1.0
Figure 12. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = –10 V
RqVC for VCE(sat)
f T
,CURRENT–GAIN
—
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
COEFFICIENT
(mV/
°C)
20
10
7.0
5.0
3.0
–0.2 –0.3 –0.5
–1.0
–2.0 –3.0 –5.0
–10
–20 –30
400
300
200
100
80
60
40
30
20
–1.0 –2.0
–5.0
–10
–20
–50
–100 –200
–500 –1000
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0 –5.0 –10 –20
–50 –100 –200
–500
+0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10 –20
–50 –100 –200 –500
Ceb
Ccb
VCE = –20 V
TJ = 25°C
RqVB for VBE
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