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參數(shù)資料
| 型號： | MPS2907RLRE |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 385K |
| 代理商： | MPS2907RLRE |
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2–542
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
General Purpose Transistors
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPS2907
MPS2907A
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
–40
–60
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
–60
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
–5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
–600
mAdc
Total Device Dissipation
@ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation
@ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 500 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(1)
MPS2907
(IC = –10 mAdc, IB = 0)
MPS2907A
V(BR)CEO
–40
–60
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = –10 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
–60
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = –10 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
–5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = –30 Vdc, VEB(off) = –0.5 Vdc)
ICEX
—
–50
nAdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –50 Vdc, IE = 0)
MPS2907
MPS2907A
(VCB = –50 Vdc, IE = 0, TA = 150°C)
MPS2907
MPS2907A
ICBO
—
–0.02
–0.01
–20
–10
Adc
Base Current
(VCE = –30 Vdc, VEB(off) = –0.5 Vdc)
IB
—
–50
nAdc
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPS2907
MPS2907A
*Motorola Preferred Device
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
*
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS2907RLRM | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS2907RLRA | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS2907ZL1 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS2907AZL1 | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS3638AZL1 | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPS2907RLRM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MPS2907RLRP | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MPS2923 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
| MPS2924 | 功能描述:NPN SS GP AMP TRANSISTOR TO92 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| MPS2925 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
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